相變記憶體(PCRAM)"新世代的全新構造記憶體"可望取代DRAM以及FLASH

被稱為終極記憶體的PCRAM，除了Intel外，韓國的Samsung以及國內的旺宏也積極在開發這種記憶體，但目前仍未見到商品化(量產)。或許因為現有記憶體已到1GB，FLASH有到16GB,32GB，所以如果要商品化，至少要能夠達到這樣的水準才有市場。
相關技術亦可參考: http://140.115.236.4/mediawiki/index.php?title=%E7%9B%B8%E8%AE%8A%E5%8C%96%E8%A8%98%E6%86%B6%E9%AB%94%EF%BC%88Phase-change_memory%EF%BC%89

參考來源：

"新晶片的容量64Mb，並不稀奇--Numonyx早在2006年就宣布128Mb晶片，三星今年9月也宣稱已製造出一款512Mb晶片。重要的是兩大技術上的進步。 第一點，研究員把網格狀的導線植入晶片中，如此一來，電腦便可輕易控制將1或0寫入6,400萬個記憶體單元(memory cell)中的任一個。第二點，他們宣布的製程可把幾個記憶層堆疊起來，這樣就可提昇記憶體的密度。 相變記憶體藉改變某種玻璃分子的狀態來記錄0與1。這種技術由來已久，早在1970年英特爾共同創辦人Gordon Moore就發表論文闡述這個概念。相變技術如今也用於可寫式DVD與CD的資料儲存。 但相變記憶體令人期待之處，簡單說就是能結合傳統電腦記憶體的高速，以及快閃記憶體的低成本、低耗電和高容量。"
- http://3c.msn.com.tw/View.aspx?ArticleID=36936 (在「Google 網頁註解」中檢視)